SRAM 2Mb EMMC মেমরি চিপস 256Kx8 10ns Async SRAM 3.3V

পণ্যের বর্ণনা

IS61LV2568L-10T SMD / SMT SRAM 2Mb 256Kx8 10ns Async SRAM 3.3v

বৈশিষ্ট্য

• উচ্চ-গতির অ্যাক্সেস সময়: 8, 10 এনএস

• অপারেটিং বর্তমান: 50mA (টাইপ।)

• স্ট্যান্ডবাই কারেন্ট: 700µA (টাইপ।)

• অধিকতর শব্দ প্রতিরোধ ক্ষমতার জন্য একাধিক কেন্দ্র শক্তি এবং গ্রাউন্ড পিন

• CE এবং OE বিকল্পগুলির সাথে সহজ মেমরি সম্প্রসারণ

• সিই পাওয়ার-ডাউন

• TTL সামঞ্জস্যপূর্ণ ইনপুট এবং আউটপুট

• একক 3.3V পাওয়ার সাপ্লাই

• প্যাকেজ উপলব্ধ: – 36-পিন 400-মিল SOJ – 44-পিন TSOP (টাইপ II)

• সীসা-মুক্ত উপলব্ধ

বর্ণনা

ISSI IS61LV2568L হল একটি অত্যন্ত উচ্চ-গতি, কম শক্তি, 262,144-শব্দের 8-বিট CMOS স্ট্যাটিক RAM।IS61LV2568L ISSI-এর উচ্চ-পারফরম্যান্স CMOS প্রযুক্তি ব্যবহার করে তৈরি করা হয়েছে।

এই অত্যন্ত নির্ভরযোগ্য প্রক্রিয়াটি উদ্ভাবনী সার্কিট ডিজাইনের কৌশলগুলির সাথে মিলিত, উচ্চ কার্যক্ষমতা এবং কম বিদ্যুত খরচ ডিভাইসের ফলন দেয়।যখন CE উচ্চ (অনির্বাচিত) হয়, তখন ডিভাইসটি একটি স্ট্যান্ডবাই মোড ধরে নেয় যেখানে CMOS ইনপুট স্তরের সাথে পাওয়ার অপচয় 36mW (সর্বোচ্চ) পর্যন্ত হ্রাস করা যেতে পারে।

IS61LV2568L একটি একক 3.3V পাওয়ার সাপ্লাই থেকে কাজ করে এবং সমস্ত ইনপুট TTL-সামঞ্জস্যপূর্ণ।IS61LV2568L 36-পিন 400-mil SOJ এবং 44-পিন TSOP (টাইপ II) প্যাকেজে উপলব্ধ।