MT40A512M16HA-083E ফ্ল্যাশ মেমোরি IC Dram 8 Gbit 512Mx16

পণ্যের বর্ণনা

MT40A512M16HA-083E: একটি মেমরি ICs DRAM SDRAM - DDR4 SMD/SMT ট্রে

• VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV

• VPP = 2.5V, –125mV, +250mV

• অন-ডাই, অভ্যন্তরীণ, সামঞ্জস্যযোগ্য VREFDQ প্রজন্ম

• 1.2V সিউডো ওপেন-ড্রেন I/O

• TC তাপমাত্রা পরিসরে 8192-চক্রের রিফ্রেশ সময়: – 64ms -40°C থেকে 85°C - 32ms>85°C থেকে 95°C - 16ms>95°C থেকে 105°C

• 16টি অভ্যন্তরীণ ব্যাঙ্ক (x4, x8): 4টি ব্যাঙ্কের 4টি গ্রুপ

• 8টি অভ্যন্তরীণ ব্যাঙ্ক (x16): 4টি ব্যাঙ্কের 2টি গ্রুপ

• 8n-বিট প্রিফেচ আর্কিটেকচার

• প্রোগ্রামেবল ডেটা স্ট্রোব প্রস্তাবনা

• ডেটা স্ট্রোব প্রস্তাবনা প্রশিক্ষণ

• কমান্ড/অ্যাড্রেস লেটেন্সি (CAL)

• বহুমুখী রেজিস্টার READ এবং WRITE ক্ষমতা

লেভেলিং লেভেলিং • সেলফ রিফ্রেশ মোড

• লো-পাওয়ার অটো সেলফ রিফ্রেশ (LPASR)

• তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রিত রিফ্রেশ (TCR)

• সূক্ষ্ম গ্রানুলারিটি রিফ্রেশ

• স্ব-রিফ্রেশ গর্ভপাত

• সর্বোচ্চ শক্তি সঞ্চয়

• আউটপুট ড্রাইভার ক্রমাঙ্কন

• নামমাত্র, পার্ক, এবং ডাইনামিক অন-ডাই টার্মিনেশন (ODT)

• ডেটা বাসের জন্য ডেটা বাস ইনভার্সন (DBI)

• কমান্ড/ঠিকানা (CA) সমতা

• ডাটাবাস লেখা সাইক্লিক রিডানডেন্সি চেক (CRC)

• প্রতি-DRAM ঠিকানাযোগ্যতা

• সংযোগ পরীক্ষা

• JEDEC JESD-79-4 অনুগত

• sPPR এবং hPPR ক্ষমতা